高温高湿反偏试验
简称H3TRB，英文名称High Temperature and High Humidity Reverse Bias。在高温高湿条件下，将栅极与发射极短接，在集电极与发射极间加上设定的直流电压，同时检测直流电压与漏电流的值的试验。
 
□试验对象
各种封装的二极管、半桥、三极管、场效应管、可控硅、IGBT等半导体器件
 
□测试标准
IEC 60068-2-67；7MIL-STD-7500; METHOD-1038.3; GJB128; JESD22-A101; AEC-Q101
 
□测试条件
1000小时，环境温度85℃，相对湿度85%R.H，80%规格的反向电压。
 
□测试原理图如下

说明：
1）测试中，施加的电场主要用于半导体表面离子积累和极性分子的驱动力，为了避免测试过程中漏电流产生的温升降低相对湿度，对于IGBT器件，一般选用80V做为测试电压，这样能将芯片的自加热温度控制在2℃以内。 2）应用经验表明，许多现场失效与湿度有着不可分割的关系，因此引入了高压高温高湿反偏测试的讨论。随着IGBT芯片的技术更新，漏电流变的更低，对于阻断电压为1200V或更高的器件，测试电压可调整为阻断电压的80%。这样，可保证功率模块在高湿度应用情况下具有更高的可靠性。 
 
□用途
判断器件的质量好坏，进而评价其可靠性水平。
 
□试验系统构成及技术指标
由漏电流测试系统与高温高湿试验箱构成高温反偏老化试验系统，技术指标如下：